ASTM F672-2001 用分布电阻探头测量硅晶片垂直于表面的纵断面电阻率的标准试验方法

作者:标准资料网时间:2024-05-17 04:10:27 浏览:8380 来源:标准资料网

【英文标准名称】:StandardTestMethodforMeasuringResistivityProfilesPerpendiculartotheSurfaceofaSiliconWaferUsingaSpreadingResistanceProbe
【原文标准名称】:用分布电阻探头测量硅晶片垂直于表面的纵断面电阻率的标准试验方法
【标准号】:ASTMF672-2001
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:2001
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:垫圈;外形;试验;硅
【英文主题词】:carrierdensityprofile;profile;resistivityprofile;spreadingresistance;spreadingresistanceprobe;spreadingresistanceprofile;SRP
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thistestmethodcoversmeasurementoftheresistivityprofileperpendiculartothesurfaceofasiliconwaferofknownorientationandtype.Note1--Thistestmethodmayal
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:18P.;A4
【正文语种】:

下载地址: 点击此处下载

返回跳至顶部

上一篇: ASTM F576-2001 用椭圆对称法测量硅衬底上绝缘体厚度及折射指数的标准试验方法
下一篇: ISO 6142-2001 气体分析标定用混合气体的制备称重法

标准名称：	电容器用钽粉电性能检验方法
中标分类：	冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法
替代情况：	被GB/T 337-1995代替
发布日期：
实施日期：	1983-03-01
首发日期：
作废日期：
出版日期：
页数：	5页